سلام وقت بخیر
صورت سوال:
مقاله زیر را در hspice با تکنولوژی 65 نانومتر شبیه سازی کنید و پارامتری های زیر را بدست اوردید.
HSNM
RSNM
WSNM
Read Delay & Power
Write Delay & Power
Hold Leakage
سپس SRAM شش ترانزیستوری عادی رو نیز در همان تکنولوژی شبیه سازی کرده و پارامتر های بالا را بدست اوردید.
نتایج بدست آمده از شبیه سازی دو سلول را داخل جدولی قرار داره و دو سلول را نسبت به هر کدام از پارامتر ها با یکدیگر با ذکر دلیل و تحلیل مقایسه کنید.
نکته: بر روی خطوط bitline برای هر دو سلول خازن 5 فمتوفاراد قرار دهید.
این آگهی از وبسایت کارلنسر پیدا شده، با زدن دکمهی تماس با کارفرما، به وبسایت کارلنسر برین و از اونجا برای این شغل اقدام کنین.
هشدار
توجه داشته باشید که دریافت هزینه از کارجو برای استخدام با هر عنوانی غیرقانونی است. در صورت مواجهه با موارد مشکوک، با کلیک بر روی «گزارش مشکل آگهی» به ما در پیگیری تخلفات کمک کنید.