انجام شبیه سازی ترانزیستور mos در برنامه Geant4 و بدست اوردن پارامتر های ترانزیستور مانند Vth

با سلام برنامه Geant4 یک ابزار مونت کارلو هست که برای ترابرد ذرات استفاده میشود.حال من میخواهم یک ترانزیستور با ابعاد مشخص تحت تابش فوتون با انرژی خاص و ذرات خاص قرار گیرد و سپس تغیرات مشخصات انرا مانند Vth بدست اوریم. چون ابزار مونت کارلو هست شبیه سازی های الکترونیکی در این برنامه دشوار هست.ولی میتوان تغیراتی که در اثر تابش ذرات رخ میدهد را در این برنامه بدست اورد و سپس اطلاعات بدست امده را به وسیله روابط موجود یا برنامه های دیگر به پارامتر مدنظر تبدیل کرد.